文献

J-GLOBAL ID：200902207698263607   整理番号：06A0854151

接触材料の比接触抵抗に及ぼす4H-SiCへのAlイオン注入の効果

Effects of Al ion implantation to 4H-SiC on the specific contact resistance of TiAl-based contact materials

著者 (3件)： ITO Kazuhiro (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN) ,  TSUKIMOTO Susumu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN) ,  MURAKAMI Masanori (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
資料名： Science and Technology of Advanced Materials  (Science and Technology of Advanced Materials)
巻： 7  号： 6  ページ： 496-501  発行年： 2006年09月 
JST資料番号： W1262A  ISSN： 1468-6996  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能炭化けい素(SiC)パワーデバイスを実現するために,低...

シソーラス用語： *接触抵抗 ,...
準シソーラス用語： パワーデバイス ,...

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分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (9件)：

• Yu. A. Vodakov, E. N. Mokhov, in: R. C. Marshall, J. W. Faust Jr., C. E. Ryan (Eds.), Silicon Carbide 1973, University South Carolina Press, Columbia, 1974, p. 508.
• T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Ito, G. Pensl, et al., Phys. Stat. Sol. A 162(1997)277.
• H. Matsunami, T. Kimoto, Trans. IEICE J-85-C (2002)409.
• B. H. Tsao, S. Liu, J. Scofield, Mater. Sci. Forum 457-460(2004)841.
• A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G. C. Cardinali, R. Nipoti, Mater. Sci. Forum 457-460(2004)881.

タイトルに関連する用語 (5件)： 接触材料 ,  比接触抵抗 ,  4H-SiC ,  Alイオン ,  注入