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J-GLOBAL ID：200902207719562383   整理番号：05A0154100

45nmノードLSTPとLOPデバイスのための相制御完全シリサイド化(PC-FUSI)技術によるデュアル仕事関数Ni-シリサイド/HfSiONゲートスタック

Dual Workfunction Ni-Silicide/HfSiON Gate Stacks by Phase-Controlled Full-Silicidation (PC-FUSI) Technique for 45nm-node LSTP and LOP Devices
著者 (9件)：
TAKAHASHI K

TAKAHASHI K について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
MANABE K

MANABE K について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
IKARASHI T

IKARASHI T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
IKARASHI N

IKARASHI N について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
HASE T

HASE T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
YOSHIHARA T

YOSHIHARA T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
WATANABE H

WATANABE H について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
TATSUMI T

TATSUMI T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
MOCHIZUKI Y

MOCHIZUKI Y について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 2004  ページ： 91-94  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Ni-シリサイド/HfSiON高kトランジスタのV<sub>...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

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PC-FUSI

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分類 (2件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (8件)：
タイトルに関連する用語
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ノード

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シリサイド

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PC

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デュアル

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仕事関数

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Ni

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HfSiON

HfSiON について

, 
ゲートスタック

ゲートスタック について


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