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J-GLOBAL ID：200902207768399455   整理番号：04A0325636

空気安定性の高いポリチオフェン系電界効果トランジスタ

Polythiophene-based field-effect transistors with enhanced air stability

著者 (5件)： ONG B (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  WU Y (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  JIANG L (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  LIU P (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  MURTI K (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 142  号： 1/3  ページ： 49-52  発行年： 2004年04月13日 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.01cm²/Vsまでの電界効果移動...

シソーラス用語： *ポリチオフェン類 ,...
準シソーラス用語： P3HT

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  単独重合  (CG04020S) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 5,5′′-ジブロモ-3′,4′-ジデシル-2,2′:5′,2′′-テルチオフェン

タイトルに関連する用語 (3件)： 安定性 ,  ポリチオフェン ,  電界効果トランジスタ