KOMIYAMA Jun について
Res. and Dev. Center, Toshiba Ceramics Co., Ltd., 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa 257-0031, JPN について
ABE Yoshihisa について
Res. and Dev. Center, Toshiba Ceramics Co., Ltd., 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa 257-0031, JPN について
SUZUKI Shunichi について
Res. and Dev. Center, Toshiba Ceramics Co., Ltd., 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa 257-0031, JPN について
NAKANISHI Hideo について
Res. and Dev. Center, Toshiba Ceramics Co., Ltd., 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa 257-0031, JPN について
Journal of Applied Physics について
窒化ガリウム について
中間層 について
半導体薄膜 について
固体の機械的性質一般 について
立方晶 について
SiC について
中間層 について
Si について
エピタキシャル について
GaN について
応力低減 について