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J-GLOBAL ID：200902207977647385   整理番号：09A0056695

Bドープした単層カーボンナノチューブへの1段階アプローチ

A one step approach to B-doped single-walled carbon nanotubes

著者 (8件)： AYALA Paola (Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN) ,  PLANK Wolfgang (Univ. Vienna, Vienna, AUT) ,  GRUENEIS Alexander (Univ. Vienna, Vienna, AUT) ,  KAUPPINEN Esko I. (Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN) ,  KAUPPINEN Esko I. (VTT Biotechnology, Espoo, FIN) ,  RUEMMELI Mark H. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  KUZMANY Hans (Univ. Vienna, Vienna, AUT) ,  PICHLER Thomas (Univ. Vienna, Vienna, AUT)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 18  号： 46  ページ： 5676-5681  発行年： 2008年12月14日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チューブ壁内にヘテロ原子を取り込む化学的修飾による,単層カーボンナノチューブの電子的特性の付与は,半導体技術において重要である。本研究では,独特の特性をもつBドープ単層ナノチューブを合成するために,高真空を用い,BおよびCを含む1つだけの液体前駆体の使用を促進する促進化学蒸着法を示した。非ドープの単層カーボンナノチューブに比べ,これらのチューブは特別な安定性をもっている。RamanおよびTEMから,狭い直径分布(0.9~1.5nm)のチューブを含む小さなナノチューブ束を伴う非常に低い欠陥濃度を観測した。この欠陥濃度は純カーボンナノチューブ基準試料よりも著しく低い。全体的なB含量および取り込んだBの結合環境をXPSによって詳細に調べた。今回の結果では,ナノおよびオプトエレクトロニック素子への制御p型ドーピングにおけるチューブのアクセシビリティを改良する剛性バンドモデルの応用性を強調した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *ホウ素 ,  *化学修飾 ,  ドーピング ,  高真空 ,  化学蒸着 ,  安定性 ,  Ramanスペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  粒度分布 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： TEM【顕微鏡】 ,  XPS法 ,  *化学的修飾 ,  粒径分布

分類 (1件)： 物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  単層カーボンナノチューブ ,  段階