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J-GLOBAL ID：200902208013681416   整理番号：04A0462296

長保持時間で高耐久性の金属-強誘電体-絶縁体-半導体メモリFET

Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Memory FET With Long Retention and High Endurance

著者 (2件)： SAKAI S (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ILANGOVAN R (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 25  号： 6  ページ： 369-371  発行年： 2004年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度不揮発性メモリや1トランジスタ型強誘電体ランダムアクセ...

シソーラス用語： 強誘電体 ,...
準シソーラス用語： MFIS構造

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 保持時間 ,  高耐久性 ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  半導体メモリ ,  FET