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J-GLOBAL ID：200902208372208700   整理番号：09A0249574

高性能薄膜デバイスに対する配向ナノチューブパターンの直接印刷

Direct printing of aligned carbon nanotube patterns for high-performance thin film devices

著者 (12件)： IM Jiwoon (Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  LEE Il-ha (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 449-712, KOR) ,  LEE Byung Yang (Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  KIM Byeongju (Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  PARK June (Dep. of Physics, Chung-Ang Univ., Seoul 156-756, KOR) ,  YU Woojong (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 449-712, KOR) ,  KIM Un Jeong (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 449-712, KOR) ,  LEE Young Hee (Dep. of Physics, Center for Nanotubes and Nanostructured Composites, Sungkyunkwan Advanced Inst. of Technol. ...) ,  SEONG Maeng-je (Dep. of Physics, Chung-Ang Univ., Seoul 156-756, KOR) ,  LEE Eun Hong (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 449-712, KOR) ,  MIN Yo-sep (Dep. of Chemical Engineering, Konkuk Univ., Seoul 143-701, KOR) ,  HONG Seunghun (Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 5  ページ： 053109  発行年： 2009年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板上のナノチューブ(CNT)の配向したアセンブリは,高性能薄膜デバイスの作製において重大な隘路になっている。本論文は,広い表面領域上に横方向に並んだ厚いCNTを作製する直接印刷法について報告する。この方法においては,CNT森(CNT forests)を基板の特定の領域に選択的に成長させ,この森パターンを別のSiO₂基板上に元の形状を保ちながら横方向に整列した形で転写する。電気的測定および偏光Raman分光により整列の度合いを評価した。さらに,この方法で高性能FETおよびガスセンサを製作した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノチューブ ,  *配列 ,  *薄膜成長 ,  選択性 ,  基板 ,  *パターン形成 ,  *転写印刷 ,  Ramanスペクトル ,  偏光

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  薄膜デバイス ,  配向 ,  ナノチューブ