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J-GLOBAL ID：200902208722216174   整理番号：09A1263857

量子井戸太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸成長のin situモニタリング

In situ growth monitoring of InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum wells for solar cell applications

著者 (5件)： 杉山正和 (東大 大学院工学研究科) ,  WANG Yunpeng (東大 先端科学技術研究セ) ,  出浦桃子 (東大 大学院工学研究科) ,  杉田憲一 (東大 先端科学技術研究セ) ,  中野義昭 (東大 先端科学技術研究セ)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集  (結晶成長国内会議)
巻： 39th  ページ： 213  発行年： 2009年 
JST資料番号： L6730A  ISSN： 0385-6275  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *歪層量子井戸 ,  太陽電池 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  化合物半導体 ,  *反射率 ,  *構造緩和 ,  その場観察 ,  監視 ,  *ヒ化リン化ガリウム
準シソーラス用語： モニタリング ,  *格子緩和 ,  歪補償

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 量子井戸太陽電池 ,  InGaAs ,  GaAsP ,  歪み補償 ,  量子井戸 ,  成長 ,  モニタリング