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J-GLOBAL ID：200902209030827978   整理番号：06A0384407

縦型高移動度ラップ(wrap)-ゲートInAsナノ細線トランジスタ

Vertical High-Mobility Wrap-Gated InAs Nanowire Transistor

著者 (5件)： BRYLLERT Tomas (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BRYLLERT Tomas (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  WERNERSSON Lars-Erik (Lund Univ., Lund, SWE) ,  FROEBERG Linus E. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SAMUELSON Lars (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 5  ページ： 323-325  発行年： 2006年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新世代エレクトロニクスに使用できる新型トランジスタアーキテク...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： InAs ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 縦型 ,  高移動度 ,  ラップ ,  ゲート ,  InAs ,  ナノ細線トランジスタ