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J-GLOBAL ID：200902209235867018   整理番号：06A0135299

ボイド援助分離を用いた水素化物気相成長法によって作製したバルクGaN結晶の熱的ならびに光学的性質

Thermal and optical properties of bulk GaN crystals fabricated through hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation

著者 (7件)： OSHIMA Yuichi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  SUZUKI Takayuki (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  ERI Takeshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  KAWAGUCHI Yusuke (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  WATANABE Kazutoshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  SHIBATA Masatomo (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 98  号： 10  ページ： 103509-103509-4  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオードやレーザダイオード等のデバイスの設計にとって重...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (9件)： ボイド ,  援助 ,  水素化物 ,  気相成長 ,  作製 ,  バルク ,  GaN ,  結晶 ,  光学的性質