文献

J-GLOBAL ID：200902209450579767   整理番号：09A0336756

4H-SiC基板上のAl2O3/SiO2二重層反射防止膜の設計と作製

Design and Fabrication of Al_2O_3/SiO_2 Double-Layer Antireflection Coatings on 4H-SiC Substrate

著者 (7件)： Huang Huolin (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Fujian, Xiamen) ,  Zhang Feng (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Fujian, Xiamen) ,  Wu Zhengyun (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Fujian, Xiamen) ,  Qi Hongji (Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics; Chinese Acad. of Sciences, Shanghai) ,  Yao Jianke (Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics; Chinese Acad. of Sciences, Shanghai) ,  Fan Zhengxiu (Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics; Chinese Acad. of Sciences, Shanghai) ,  Shao Jianda (Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics; Chinese Acad. of Sciences, Shanghai)
資料名： Guangxue Xuebao  (Guangxue Xuebao)
巻： 28  号： 12  ページ： 2431-2435  発行年： 2008年 
JST資料番号： C2088A  ISSN： 0253-2239  CODEN： GUXUDC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Al2O3/SiO2二重層UV反射防止膜を設計し,4H-SiC基板上で作製し,理論設計の妥当性を走査電子顕微鏡(SEM)と射スペクトルにより検証した。Al2O3とSiO2の最適厚みはプログラミング計算により,それぞれ,42.0nmと96.1nmであった。次に,λ=280nmの参照波長において0.09%の最小反射率を得た。誤差解析に従って,理論値と一致する二重層厚みの和を維持することが反射率の減少に役立つことを示した。さらに,SiO2の屈折率が正確であると,Al2O3の屈折率が1.715に近くなった。電子ビーム蒸着により4H-SiC基板上にAl2O3/SiO2被覆を蒸着させ,それらの物理的厚みは,それぞれ,42nmと96nmであった。SEM像により,蒸着層し基板が互いによい付着をもつことを示した。実際の最小反射率はλ=276nmで0.33%であり,これは理論値に近かった。従来のSiO2単一層と比較して,Al2O3/SiO2二重層被覆は低反射率とよい波長選択性を示した。これらの結果は,反射防止膜としてAl2O3/SiO2膜のある4H-SiCに基づくUVオプトエレクトロニクス素子の可能性を与えた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  基板 ,  アルミナ ,  *反射防止膜 ,  蒸着膜 ,  反射率 ,  半導体薄膜 ,  屈折率 ,  二重構造 ,  膜厚 ,  電子ビーム蒸着 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  4H-SiC

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  SiO2 ,  二重層 ,  反射防止膜 ,  設計 ,  作製