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J-GLOBAL ID：200902209657728347   整理番号：05A0869659

水素化CVDダイヤモンド膜のPTIS研究

PTIS investigation of hydrogenated CVD diamond films

著者 (8件)： HIKAVYY A. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  CLAUWS P. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  DEFERME W. (Limburgs Universitair Centrum, Diepenbeek, BEL) ,  BOGDAN G. (Limburgs Universitair Centrum, Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN K. (Limburgs Universitair Centrum, Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN K. (IMEC vzw, Diepenbeek, BEL) ,  NESLADEK M. (Limburgs Universitair Centrum, Diepenbeek, BEL) ,  NESLADEK M. (IMEC vzw, Diepenbeek, BEL)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 202  号： 11  ページ： 2171-2176  発行年： 2005年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高伝導率の水素化CVDダイヤモンド膜は,暗電流が高くSN比が...

シソーラス用語： 水素化 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気的・磁気的実験技術  (BA02050S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  CVD ,  ダイヤモンド膜 ,  研究