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J-GLOBAL ID：200902209730692020   整理番号：08A1145310

プラズマアシスト分子ビームエピタキシーにより育成した(Mn,N)共ドープTiO₂膜の室温強磁性

Room-temperature ferromagnetism in (Mn, N)-codoped TiO₂ films grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

著者 (6件)： LI X. Y. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...) ,  WU S. X. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...) ,  XU L. M. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...) ,  LIU Y. J. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...) ,  XING X. J. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...) ,  LI S. W. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen Univ. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 9  ページ： 093914  発行年： 2008年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマアシスト分子ビームエピタキシーにより(Mn,N)共ドープTiO₂膜を作製した。X線回折とX線光電子分光研究は,MnとNが共に,しかもMn金属クラスターの形成なしにTiO₂格子に入ることを示した。(Mn,N)共ドープTiO₂膜では300Kで明確なヒステリシスをもつ強磁性が観測されたが,窒素なしの膜は常磁性挙動を示した。意識的な窒素ドープがMnドープTiO₂膜の主たる強磁性秩序を実現する上で重要な役割を果たすことを実験的に証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *マンガン ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  協同現象 ,  *強磁性 ,  MBE成長 ,  室温 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  クラスタ形成 ,  磁気ヒステリシス ,  常磁性 ,  磁気秩序 ,  結晶格子 ,  磁性半導体 ,  スピントロニクス ,  基板
準シソーラス用語： プラズマMBE ,  希釈磁性半導体 ,  協同効果 ,  *二酸化チタン ,  共ドーピング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  アシスト ,  分子ビームエピタキシー ,  Mn ,  ドープ ,  TiO2 ,  室温強磁性