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J-GLOBAL ID：200902209800928646   整理番号：09A0717342

ガラス上の透明導電性NbドープアナターゼTiO₂多結晶膜の直接成長

Direct growth of transparent conducting Nb-doped anatase TiO₂ polycrystalline films on glass

著者 (8件)： YAMADA Naoomi (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  KASAI Junpei (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  HOANG Ngoc Lam Huong (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Kanagawa Acad. of Sci. and Technol. (KAST), Kanagawa 213-0012, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 12  ページ： 123702  発行年： 2009年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では新しいスパッタリングをベースとした透明導電性NbドープアナターゼTi_1-xNb_xO₂(TNO)多結晶膜の直接成長方式を提案するが,それは初期シード層の使用により堆積後処理を必要としない。還元性雰囲気中でLaAlO₃(100)基板上に成長したアナターゼTNOエピタキシャル膜は低い抵抗率(ρ)(3~6)×10^-4Ωcmを呈した。しかしガラス上では同じ条件下で高抵抗のルチル相多結晶膜(ρ≒100Ωcm)が選択的に形成した。これらの結果は酸素欠乏アナターゼ相のエピタキシャル安定化は格子整合基板上で起こることを示唆している。ガラス表面上で同じ効果を得るために酸素分圧を増して優れた結晶度のアナターゼTNOシード層を堆積した。その結果,アナターゼTNO多結晶膜を高い還元性の雰囲気下でも成長させられた。最適の膜はρ=1.1×10^-3Ωcmを示し光吸収は可視域で10%以下であった。このρの値は直接堆積TNO多結晶膜についての報告値より一桁以上低かった。これはシード層方式が透明導電性TNO多結晶膜をガラス上で作るのにかなりの可能性を持つことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *酸化物 ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  アナターゼ ,  *酸化チタン ,  半導体薄膜 ,  還元環境 ,  エピタクシー ,  格子整合 ,  電気抵抗率 ,  下層 ,  光吸収 ,  可視光 ,  後処理
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  シード層 ,  *透明導電性酸化物

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラス ,  導電性 ,  Nb ,  TiO2 ,  多結晶 ,  成長