層内の構造歪みがV1+xMo2-xS4(0≦x≦2)の電気的及び磁気的性質に及ぼす影響

POWELL A V; MCDOWALL A; VAQUEIRO P; SMITH R I; OHTANI T; OKUYA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902209938584310 整理番号：04A0864653

層内の構造歪みがV_1+xMo_2-xS₄(0≦x≦2)の電気的及び磁気的性質に及ぼす影響

The influence of intralayer structural distortions on the electrical and magnetic properties of V_1+xMo_2-xS₄ (0≦ x ≦2)

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資料名：
巻： 14 号： 20 ページ： 3051-3057 発行年： 2004年10月21日
JST資料番号： W0204A ISSN： 0959-9428 CODEN： JMACEP 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

一連の化合物V1+xMo2-...

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塩

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