ホットワイヤ化学蒸着により堆積した微結晶シリコンのスイッチング挙動

HU Jian; STRADINS Paul; BRANZ Howard M.; WANG Qi; HUIE Brittany; WEINBERG-WOLF J. R.; HARLEY E. C. T.; WANG Keda; HAN Daxing

文献

J-GLOBAL ID：200902210018833499 整理番号：05A0450729

ホットワイヤ化学蒸着により堆積した微結晶シリコンのスイッチング挙動

Switching behavior of microcrystalline silicon deposited by hot-wire chemical vapor deposition

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資料名：
巻： 97 号： 7 ページ： 073709.1-073709.6 発行年： 2005年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

p型μc-Si薄膜を用いたMIM構造の電気的性質と構造の電流...

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金属-絶縁体-金属構造 , 半導体薄膜

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