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J-GLOBAL ID：200902210036671536   整理番号：07A0377827

低温塗布プロセスによる高性能酸化シリコン絶縁膜作製技術の開発

著者 (6件)： 小笹健仁 (産業技術総合研) ,  植村聖 (産業技術総合研) ,  末森浩次 (産業技術総合研) ,  吉田学 (産業技術総合研) ,  星野聡 (産業技術総合研) ,  鎌田俊英 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 2  ページ： 868  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  塗布プロセス ,  酸化シリコン ,  絶縁膜 ,  作製 ,  開発