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J-GLOBAL ID：200902210093428281   整理番号：08A1102885

大口径シリコンウェーハの高平坦両面研磨加工に関する研究(加工条件の最適化)

Achievement of High Flatness of Large Diameter Silicon Wafer in Double-Sided Polishing (Optimization of Polishing Conditions Based on Kinematical Analysis)

著者 (2件)： 廣瀬研二 (大阪大 大学院工学研究科) ,  榎本俊之 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 日本機械学会論文集 C編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series C)
巻： 74  号： 746  ページ： 2601-2606  発行年： 2008年10月25日 
JST資料番号： F0045B  ISSN： 0387-5024  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの基板として用いられるシリコンウェーハは両面研磨加工により量産されている。しかしその加工安定性や経済性にはいまだ多くの問題があり,また今後のウェーハ仕様の高度化(大口径化および高平坦化)に対応することは現工法では極めて困難となっている。そこで本研究では大口径シリコンウェーハを両面研磨加工により高平坦に仕上げることを目的に,理論解析にもとづき加工条件の最適化を行った。その結果,ウェーハおよび研磨パッドを平坦に研磨・摩耗する加工条件を明らかにすることができた。またキャリア内でのウェーハ収容位置を最適化することで,研磨パッド摩耗をさらに均一化できることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *研磨 ,  平坦性 ,  *加工条件 ,  最適化 ,  安定性 ,  経済性 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 加工安定性 ,  *大口径シリコンウエハ

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (5件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors. 2007, 77
• NAKAGAWA, Y. Optimization of Double Sided Polishing Conditions in order to Unify Friction Distance Distribution in a Wafer. Journal of the Japan Society for Precision Engineering. 2006, 72, 5, 641-646
• UHLMANN, E. Influence of Kinematics on the Face Grinding Process on Lapping Machines. Annals of the CIRP. 1999, 48, 1, 281-284
• ARAI, H. Planarization Polishing Technique for Large Diameter of Bare Silicon Wafer. Journal of the Japan Society for Precision Engineering. 2007, 73, 7, 756-759
• ABE, K. Study for Lapping Technology of 400 mm diameter wafers-3rd report-. Proceedings of Spring Conference on the Japan Society for Precision Engineering, 1998. 1998, 566

タイトルに関連する用語 (7件)： 大口径 ,  シリコンウェーハ ,  平坦 ,  両面研磨加工 ,  研究 ,  加工条件 ,  最適化