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J-GLOBAL ID：200902210194955487   整理番号：07A0066198

研磨屑粒子を含むCMPスラリーのSPH流動シミュレーション

SPH-based Flow Simulation of Polishing Slurry Including Polished Debris in CMP

著者 (5件)： 高野薫 (日本ヒューレット・パッカード) ,  山田耕一郎 (舞鶴工高専) ,  武澤信浩 (名古屋工大) ,  鈴木辰俊 (東邦エンジニアリング) ,  稲村豊四郎 (名古屋工大)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 73  号： 1  ページ： 90-95  発行年： 2007年01月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMP加工では研磨屑,研磨砥粒を含む研磨スラリーの流動特性が...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： *SPH法

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分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• LIANG, H. Lubricating behavior in chemical-mechanical polishing of copper. Scripta Materialia. 2002, 46, 343
• ZHOU, C. Fluid pressure and its effects on chemical mechanical polishing. Wear. 2002, 253, 430
• 津田直紀. 原液スラリーの測定例-スラリー用粒子カウンターKS-71-. クリーンテクノロジー. 2001, 11, 6, 15
• ROGERS, C. Analysis of Flow Between a Wafer and Pad During CMP Processes. Journal of Electronic Materials. 1998, 27, 1082
• MULLANY, B. The effect of Slurry Viscosity on Chemical-Mechanical Polishing of Silicon Wafers. Journal of Materials Processing Technology. 2003, 132, 28

タイトルに関連する用語 (6件)： 研磨屑 ,  CMP ,  スラリー ,  SPH ,  流動 ,  シミュレーション