文献

J-GLOBAL ID：200902210343445411   整理番号：04A0730151

Cr及びCu-Siコンタクト形成に基くショットキー障壁型交流表面光電圧の解析

Analyses of Schottky Barrier-Type AC Surface Photovoltages Caused by Cr- and Cu-Si Contact

著者 (3件)： 大森絵理 (日本大 大学院工学研究科) ,  岡田知也 (日本大 工) ,  清水博文 (日本大 工)
資料名： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
巻： 46  号： 1  ページ： 89-97  発行年： 2004年09月25日 
JST資料番号： G0810A  ISSN： 1343-2885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン(Si)ウェーハ表面に残留した金属不純物は酸化膜が形...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： シリコン ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0730151&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0810A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  品質検査  (KB04020L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cr ,  Cu ,  Si ,  コンタクト ,  ショットキー障壁 ,  交流 ,  解析