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J-GLOBAL ID：200902210351167102   整理番号：05A0427440

Gate Direct Tunnelingを考慮したSRAMスタティックノイズマージンの解析

著者 (3件)： 田辺亮 (富士通研) ,  芦沢芳夫 (富士通研) ,  岡秀樹 (富士通研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 971  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *SRAM ,...
準シソーラス用語： ノイズ

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (2件)： SRAM ,  解析