文献

J-GLOBAL ID：200902210483228046   整理番号：05A0795100

InAs/InP量子ドットのぬれ層に支援された横方向結合に対する方法

Approach to wetting-layer-assisted lateral coupling of InAs/InP quantum dots

著者 (8件)： CORNET C. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  PLATZ C. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  CAROFF P. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  EVEN J. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  LABBE C. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  FOLLIOT H. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  LE CORRE A. (INSA de Rennes, Rennes, FRA) ,  LOUALICHE S. (INSA de Rennes, Rennes, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 72  号： 3  ページ： 035342.1-035342.5  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.55μmの光通信波長で発光する2次元量子ドット(QD)I...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0795100&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  InP ,  量子ドット ,  ぬれ層 ,  支援 ,  横方向