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J-GLOBAL ID：200902210713737786   整理番号：09A0713097

強誘電状態の非破壊読み出しのための巨大トンネル電気抵抗

Giant tunnel electroresistance for non-destructive readout of ferroelectric states

著者 (13件)： GARCIA V. (Thales, Palaiseau, FRA) ,  GARCIA V. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  FUSIL S. (Thales, Palaiseau, FRA) ,  FUSIL S. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  FUSIL S. (Univ. d’Evry-Val d’Essonne, Evry, FRA) ,  BOUZEHOUANE K. (Thales, Palaiseau, FRA) ,  BOUZEHOUANE K. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  ENOUZ-VEDRENNE S. (Thales Res. & Technol., Palaiseau, FRA) ,  MATHUR N. D. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  BARTHELEMY A. (Thales, Palaiseau, FRA) ,  BARTHELEMY A. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  BIBES M. (Thales, Palaiseau, FRA) ,  BIBES M. (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 460  号： 7251  ページ： 81-84  発行年： 2009年07月02日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体は,電気的にスイッチングできる安定した自発分極を示し,サブマイクロメートルの厚さの強誘電体膜は,破壊性の容量読み出しを行う不揮発性記憶素子として現在使用されている。極めて薄い強誘電体障壁をもつトンネル接合を利用したメモリーであれば,非破壊性の抵抗読み出しが可能になるだろう。しかし,室温での分極安定性とスイッチングを非常に薄い膜厚で実現することは困難である。今回我々は,室温で圧電応答力顕微鏡法を使い,高度に歪んだBaTiO₃膜では,1nmまで薄くなってもロバストな強誘電性が現れることを示す。また,我々は,室温導電性ティップ原子間力顕微鏡法により,トンネル電流への分極状態の影響を解する抵抗読み出しを実証している。得られた電気抵抗効果は,強誘電体膜の厚さとともに指数関数的に変化し,3nmで約75,000%に達する。我々の方法では,このような非常に薄い膜厚ではトンネル現象に支配される通常は好ましくないリーク電流を利用して,非破壊的に分極状態を読み出している。70nmまでのスケーラビリティーが実証されているが,これは16Gbit inch^-2を超える密度が可能であることに相当する。これらの結果は,単純な構造とより高い密度をもち,より高速で動作する強誘電体メモリーへの道を開くものであり,ナノスケールでの量子トンネル現象と強誘電性の相互作用をさらに深く探究するきっかけとなると考えられる。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： 強誘電性 ,  *電気抵抗 ,  *トンネル効果 ,  非破壊読出メモリ ,  *強誘電体 ,  *不揮発性メモリ ,  誘電体薄膜 ,  *力顕微鏡 ,  圧電気 ,  応答 ,  *チタン酸バリウム ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 非破壊読出 ,  巨大トンネル電気抵抗 ,  圧電応答力顕微

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非破壊読み出し ,  トンネル ,  電気抵抗