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J-GLOBAL ID：200902210874932392   整理番号：06A0291171

フォノン分散を含むJoule加熱下でのシリコンオンインシュレータトランジスタに対する熱応答のLattice Boltzmannモデリング

LATTICE BOLTZMANN MODELING OF THE THERMAL RESPONSE OF SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTORS UNDER JOULE HEATING INCLUDING PHONON DISPERSION

著者 (2件)： ESCOBAR Rodrigo A. (Pontificia Universidad Catolica de Chile, Santiago, CHL) ,  AMON Cristina H. (Carnegie Mellon Univ., PA)
資料名： ASME. EPP (American Society of Mechanical Engineers. Electronic and Photonic Packaging Div.)  (ASME. EPP (American Society of Mechanical Engineers. Electronic and Photonic Packaging Div.))
巻： 5  ページ： 489-499  発行年： 2005年 
JST資料番号： W0624B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオンインシュレータ(SOI)トランジスタの熱伝導を,...

シソーラス用語： 抵抗加熱 ,...
準シソーラス用語： Joule加熱 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  熱伝導  (PA02020Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： フォノン分散 ,  Joule加熱 ,  熱応答 ,  モデリング