文献
J-GLOBAL ID:200902211089284670   整理番号:09A0293708

平らな基板上で測定された再注型Nafion膜におけるプロトン伝導率の抑制

Depression of proton conductivity in recast Nafion film measured on flat substrate
著者 (6件):
資料名:
巻: 189  号:ページ: 994-998  発行年: 2009年04月15日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
側面方向(界面に平行な)における再注型Nafion薄膜のプロトン伝導率を湿潤雰囲気で測定した。膜厚が小さくなると伝導率は小さくなった。たとえば,約100nm厚みの膜の伝導率は全材料より約1桁小さかった。温度に対する伝導率の依存性を測定した。より薄い膜は伝導のためのより大きな見かけの活性化エネルギーを示した。伝導のための伝導率と見かけの活性化エネルギーの両方が厚みに影響されるので,これらの現象は材料における固有の変化のためである。乾燥条件下,バルク膜における伝導率のための見かけの活性化エネルギーが大きいという事実から,薄膜における伝導率のための大きな見かけの活性化エネルギーは水吸着の妨害のためである。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
燃料電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る