文献

J-GLOBAL ID：200902211145522865   整理番号：08A0944961

二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響

著者 (4件)： 永瀬雅夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  日比野浩樹 (NTT 物性科学基礎研) ,  影島博之 (NTT 物性科学基礎研) ,  山口浩司 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1224  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *コンダクタンス ,  *グラファイト ,  炭化ケイ素 ,  ナノ構造 ,  基板 ,  薄膜 ,  電気伝導率 ,  *表面ステップ ,  *グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層グラフェン ,  導電率 ,  SiC基板 ,  表面ステップ