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J-GLOBAL ID：200902211204777511   整理番号：08A0617416

Pd(111)上の(4×4)酸化バナジウムナノメッシュ中のビスマスナノドットの生成

Formation of bismuth nanodot in (4×4) vanadium oxide nanomesh on Pd(111)

著者 (7件)： HAYAZAKI S. (School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  MATSUI T. (School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  MATSUI T. (Ecotopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  ZHANG H.l. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP) ,  CHEN W. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP) ,  WEE A.t.s. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP) ,  YUHARA J. (School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 602  号： 12  ページ： 2025-2028  発行年： 2008年06月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pd(111)上の良く規則化された(4×4)酸化バナジウムナノメッシュにおけるビスマスナノドットの生成を,走査型トンネル顕微鏡(STM),低エネルギー電子回折(LEED),及びX線光電子分光法(XPS)により研究した。0.01MLの非常に低いBi被覆で,Bi原子は酸化バナジウムナノメッシュ中に配置し,各Bi原子が孤立したBiナノドットを生成する。0.06MLのBi被覆でSTMにより2種類の高さのBiナノドットを観察した。Bi被覆が0.2MLまで増加すると,ナノメッシュのほとんどのナノホールがBiナノドットで占有され,残りのBi原子は酸化バナジウム表面でBiクラスタを生成する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パラジウム ,  結晶面 ,  *酸化バナジウム ,  *ビスマス ,  ナノ構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  低速電子回折 ,  X線光電子スペクトル ,  細孔 ,  クラスタ
準シソーラス用語： ナノメッシュ ,  ナノドット ,  低エネルギー電子回折 ,  ナノホール

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pd ,  酸化バナジウム ,  ナノメッシュ ,  ビスマス ,  ナノドット