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J-GLOBAL ID：200902211510768020   整理番号：08A0679721

ざらざらメッシュ面を採用した窒化物ベース近紫外垂直-注入LEDのさらなる特性向上

Further Enhancement of Nitride-Based Near-Ultraviolet Vertical-Injection Light-Emitting Diodes by Adopting a Roughened Mesh-Surface

著者 (5件)： LEE Chia-En (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE Yea-Chen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Hao-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Tien-Chang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Shing-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 20  号： 9/12  ページ： 803-805  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ざらざらメッシュ面構造を有する近紫外垂直注入LED(NUV-VLED)を検討した。NUV-VLEDウェハーを,パターン化サファイア(PSS)基板と従来のサファイア基板の上に,低圧MOCVDで成長した。ウェハー接着,レーザーリフト-オフ,化学ウェットエッチングプロセス,ICPエッチングを経て,ざらざらメッシュ面構造が形成される。その上に,GaN,Si-ドープGaN,InGaN多量子井戸を作製し,ざらざらメッシュ面構造NUV-VLEDが完成する。ざらざらメッシュ面構造の形成は表面放出領域ばかりでなく,LED構造内のフォトンの角度ランダム性により脱出確率を改善し,さらに,模様サファイア基板(PSS)プロセスを採用することにより内部量子効率(IQE)を増加させる。この新規なデバイス設計により,出力パワーを20%向上できた。

シソーラス用語： *レーザ加工 ,  *微細加工 ,  *近紫外線 ,  *発光ダイオード ,  *表面粗さ ,  転位密度 ,  サファイア ,  基板 ,  *窒化物 ,  輝度 ,  量子効率 ,  表面処理
準シソーラス用語： リフトオフ

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： メッシュ ,  採用 ,  窒化物 ,  近紫外 ,  垂直 ,  注入 ,  LED