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J-GLOBAL ID：200902211804677634   整理番号：08A1218106

MEMSプロセスを用いた半導体リレー用3000V級MOSFETスイッチ

3000V class MOSFET switch for Semiconductor Relay using MEMS process

著者 (3件)： 小町友則 (横河電機) ,  高山忠彦 (横河電機) ,  今村誠 (横河電機)
資料名： 横河技報  (Yokogawa Technical Report)
巻： 52  号： 4  ページ： 141-144  発行年： 2008年10月20日 
JST資料番号： G0256A  ISSN： 0513-5532  CODEN： YOGHA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 小型で高耐圧なレコーダ用スキャナ向けの半導体リレーを実現するために,半導体リレーの心臓部であるMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)スイッチング素子の3次元の終端構造を考案した。素子の周囲を垂直にエッチングし,この垂直なエッチング面に接合をつくり込むことで,世界で初めて3200V耐圧のMOSFETをわずか1.7mm角のチップサイズで実現した。この構造の加工にはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)プロセスを用いて,通常のドライエッチングの数十~数百倍である400μmの深さの垂直なエッチングを行った。(著者抄録)

シソーラス用語： マイクロマシニング ,  *MOSFET ,  *スイッチング素子 ,  オンオフ制御 ,  エッチング ,  耐圧性 ,  MEMS
準シソーラス用語： リレー制御

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• 仲矢実, 白石光男, 他, “計測用半導体リレー”, 横河技報, Vol.34, No.4, 1990, p. 201-204
• 湯原仁志, 岡野芳洋, 他, “ハイブリッドレコーダHR2300/2400”, 横河技報, Vol.33, No.4, 1989, p. 257-260
• 小町友則, 仲矢実, 他, “低出力容量半導体リレー”, 横河技報, Vol.40, No.3, 1996, p. 83-86
• Tomonori Komachi, Tadahiko Takayama, Makoto Imamura, “A 1.7mm-Square 3.2kV Low Leakage Current Si MOSFET”, IEEE IEDM Technical Digest, 2006, pp. 915-918

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  プロセス ,  半導体リレー ,  MOSFET