MOVPE法によるサファイア凹凸加工基板上へのGaN選択成長

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J-GLOBAL ID：200902211948532193 整理番号：07A0376457

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巻： 54th 号： 1 ページ： 403 発行年： 2007年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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