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J-GLOBAL ID：200902212403615284   整理番号：07A0039612

SiGeの薄いバッファ層を利用した帯域幅21GHzのゲルマニウムオンシリコンフォトダイオード

21-GHz-Bandwidth Germanium-on-Silicon Photodiode Using Thin SiGe Buffer Layers.

著者 (8件)： HUANG Zhihong (Univ. Texas, TX, USA) ,  KONG Ning (Univ. Texas, TX, USA) ,  GUO Xiangyi (Univ. Texas, TX, USA) ,  LIU Mingguo (Univ. Texas, TX, USA) ,  DUAN Ning (Univ. Texas, TX, USA) ,  BECK Ariane L (Univ. Texas, TX, USA) ,  BANERJEE Sanjay K (Univ. Texas, TX, USA) ,  CAMPBELL Joe C (Univ. Texas, TX, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 12  号： 6,Pt.2  ページ： 1450-1454  発行年： 2006年11月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的相互接続法の代替として光学的相互接続法が注目されている...

シソーラス用語： *フォトダイオード ,...
準シソーラス用語： SiGe ,...

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分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  バッファ層 ,  帯域幅