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J-GLOBAL ID：200902212451843400   整理番号：08A0979096

次世代IGBT用のCSTBT(III)

CSTBT(III) as the next generation IGBT

著者 (3件)： TAKAHASHI Tetsuo (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN) ,  TOMOMATSU Yoshifumi (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN) ,  SATO Katsumi (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 72-75  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si電力トランジスタの従来のV_CE(sat)(ON状態順方向電圧降下)-E_SW(off)(ターンオフスイッチングエネルギー損失)のトレードオフを解決するため,キャリア貯蔵(CS)効果を使用したCSTBT(Carrier Stored Trench Bopolar Transistor)の概念を提案した。デバイス特性における低ターンオフ損失と高均一性を考慮して,微細パターンと逆方向(retro grade)ドーピングを取り入れた。その結果,ターンオフ損失とV_CE(th)が大幅に低下した。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  ターンオフ ,  *スイッチング損失 ,  パターン形成 ,  微細加工 ,  電圧降下 ,  状態 ,  *トレンチカット【加工】 ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： オン状態 ,  微細パターン形成

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 次世代 ,  IGBT