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J-GLOBAL ID：200902212712725299   整理番号：09A1183742

温度範囲5から400KにおけるAl_0.5Ga_0.5As/GaAs多重量子井戸の光ルミネセンス

Photoluminescence of an Al_0.5Ga_0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 to 400 K

著者 (3件)： DANG Giang T. (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN) ,  KANBE Hiroshi (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Fac. of Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kamishi, Kochi 782-8502, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 9  ページ： 093523  発行年： 2009年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 意図せずして不純物がドープされたAl_0.5Ga_0.5As/GaAs多重量子井戸(MQW)の光ルミネセンス(PL)を温度5Kから400Kにおいて測定した。n=1電子-軽ホール遷移(1e-1lh)の強度のn=1電子-重ホール遷移(1e-1hh)に対する比率は温度の逆数の指数関数によって記述できることが判明した。1e-1hh遷移PL強度の励起パワー依存性を,12~20Kの温度ステップで5から296Kの温度範囲で測定した。自由キャリヤ再結合の相対的寄与が5から120Kで徐々に増加してその後は一定であることが分かった。この傾向は,1e-1hh遷移とバルクGaAsバンドギャップとの間のエネルギー差の温度依存性によって確証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  *キャリア再結合 ,  化合物半導体 ,  *多重量子井戸 ,  ドーピング ,  温度依存性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 温度範囲 ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス