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J-GLOBAL ID：200902212807170863   整理番号：08A0448392

垂直磁化方式のL1₀-CoPtから成る電極を用いた磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗

Tunneling magnetoresistance of magnetic tunnel junctions using perpendicular magnetization L1₀-CoPt electrodes

著者 (5件)： KIM Gukcheon (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aoba-yama 6-6-05, Sendai 980-8579, JPN) ,  SAKURABA Yuya (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  OOGANE Mikihiko (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aoba-yama 6-6-05, Sendai 980-8579, JPN) ,  ANDO Yasuo (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aoba-yama 6-6-05, Sendai 980-8579, JPN) ,  MIYAZAKI Terunobu (New Ind. Creation Hatchery Center, Tohoku Univ., Aoba-yama 6-6-10, Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 17  ページ： 172502  発行年： 2008年04月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁気異方性を持つL1₀秩序化したCoPt電極を用いた磁気トンネル接合(MTJ)を作製した。スパッタリング法によって単結晶のMgO(001)基板上にフルエピタキシャルCoPt/MgO/CoPt-MTJを作製した。X線回折解析から,ボトム電極およびトップ電極のいずれも(001)配向したエピタキシャル膜であることが分かった。600°Cの基板温度の下において堆積したボトムCoPt電極に関するL1₀の化学的秩序パラメータは0.82である。磁場が薄膜面に垂直に印加された条件の下における輸送測定から,室温におけるトンネル磁気抵抗比は6%,そして10Kにおけるトンネル磁気抵抗比は13%であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 垂直磁化 ,  金属間化合物 ,  白金合金 ,  コバルト含有合金 ,  *トンネル接合 ,  垂直磁気異方性 ,  スパッタ蒸着 ,  エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  基板 ,  磁性薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  *MIM構造 ,  *磁気抵抗効果
準シソーラス用語： L10型金属間化合物 ,  *磁気トンネル接合 ,  *トンネル磁気抵抗効果

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 垂直磁化 ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗