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J-GLOBAL ID:200902212831857705   整理番号:08A0332910

並進エネルギーアシストCVDによる機能性薄膜の室温反応形成技術

著者 (1件):
資料名:
巻: 2006  ページ: 59(1),59-64  発行年: 2008年03月 
JST資料番号: L5775A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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原子状酸素ビームを用いてSiの室温酸化実験とビーム励起化学気相反応による酸化インジウム薄膜形成実験を行い,酸化けい素膜厚みに対する原子状酸素照射量の影響と酸化インジウム薄膜形状に対するインジウム蒸着法の影響を調べた。パルスバルブと炭酸ガスレーザを用いて高強度原子ビームが得られるレーザデトネーション型原子ビーム装置を用いた。その結果,次のことが分かった。1)反応の初期段階では急速に酸化が進行しその後放射状に緩やかに酸化けい素膜厚みが増加する,2)酸素分子照射下で形成された酸化インジウム薄膜は半透明なメタリック光沢を示すが原子状酸素照射下では透明な薄膜が形成される。
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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