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J-GLOBAL ID：200902212996175510   整理番号：09A1130142

太陽電池用アモルファスシリコンのフォトニックバンド工学による吸収増強

Photonic band-engineering absorption enhancement of amorphous silicon for solar cells

著者 (13件)： DAIF Ounsi El (Univ. Lyon, Ecully, FRA) ,  DAIF Ounsi El (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  DROUARD Emmanuel (Univ. Lyon, Ecully, FRA) ,  GOMARD Guillaume (Univ. Lyon, Ecully, FRA) ,  PARK Yeonsang (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  KAMINSKI Anne (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  FAVE Alain (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  LEMITI Mustapha (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  LETARTRE Xavier (Univ. Lyon, Ecully, FRA) ,  VIKTOROVITCH Pierre (Univ. Lyon, Ecully, FRA) ,  AHN Sungmo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JEON Heonsu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SEASSAL Christian (Univ. Lyon, Ecully, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7411  ページ： 74110O.1-74110O.8  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトニック結晶構造のフォトニックバンド工学を介した薄層吸収の増強について研究し,遅い光モードが吸収効率を改善するアモルファスシリコン(a-Si)フォトニック結晶を実現した。RCWAモジュールを用いたシミュレーションによれば100nmの厚さのa-Si薄膜で1.5倍の吸収増強が期待できる。さらに,1μm厚のaSiで0.32~0.76μmのスペクトル範囲で50%の吸収増強を実験的に確かめた。本提案はフォトニック結晶パラメータが材料の複素屈折率に適合しさえすればシリコンやIII-V族半導体のような任意の吸収材料に応用できる。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *アモルファスシリコン ,  フォトニックバンドギャップ ,  *光吸収 ,  計算機シミュレーション ,  複素屈折率 ,  半導体薄膜 ,  電磁場解析 ,  エッチング ,  周期構造 ,  光起電力 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： RCWA【解析】 ,  吸収効率 ,  *遅い光

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  フォトニックバンド ,  工学 ,  増強