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J-GLOBAL ID：200902213069218674   整理番号：08A1086649

電気化学エッチングによって作製した「ブラックシリコン」反射防止薄膜

“Black silicon” antireflection thin film prepared by electrochemical etching

著者 (5件)： Liu GuangYou (School of Physical Sci. and Technol., Southwest Univ., Chongqing) ,  Tan XingWen (School of Physical Sci. and Technol., Southwest Univ., Chongqing) ,  Yao JinCai (School of Physical Sci. and Technol., Southwest Univ., Chongqing) ,  Wang Zhen (School of Physical Sci. and Technol., Southwest Univ., Chongqing) ,  Xiong ZuHong (School of Physical Sci. and Technol., Southwest Univ., Chongqing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 57  号： 1  ページ： 514-518  発行年： 2008年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 太陽電池と光検出器は,その性能を高めるためにしばしば反射防止表面によって覆われている。経済的で,速く,容易に操作できる電気化学エッチング法を開発して,エッチング深さの関数として多孔性シリコン層の屈折率における連続均一変化を実現した。この技法を用いて,広帯域にわたって反射率が5%未満と厚さ1μm未満のブラックシリコン試料を製作した。光反射率の低下機構を,転送行列法によって構造をシミュレーションすることにより解析した。シミュレーション結果は実験測定とよく一致している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 電気化学 ,  *エッチング ,  *ケイ素 ,  *反射防止膜 ,  太陽電池 ,  光検出器 ,  深さ ,  多孔性 ,  屈折率 ,  広帯域 ,  反射率 ,  厚み ,  転送行列 ,  計算機シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用

分類 (3件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学エッチング ,  作製 ,  ブラックシリコン ,  反射防止 ,  薄膜