次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現

松下大介; 村岡浩一; 加藤弘一

文献

J-GLOBAL ID：200902213102015105 整理番号：05A0351938

次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現

Realization of Ultrathin and Ultralow-Leakage SiON Gate Dielectrics

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巻： 60 号： 4 ページ： 44-47 発行年： 2005年04月01日
JST資料番号： F0360A ISSN： 0372-0462 CODEN： TORBA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

東芝は,次世代CMOS(相補型金属酸化膜半導体)用として,世...

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半導体薄膜

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