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J-GLOBAL ID：200902213179268367   整理番号：09A1196816

PLD法による硫黄ドープチタン酸化物薄膜の合成と評価(その2)

著者 (5件)： 村松淳司 (東北大 多元物質科研) ,  佐藤修彰 (東北大 多元物質科研) ,  蟹江澄志 (東北大 多元物質科研) ,  高橋英志 (東北大 多元物質科研) ,  吉永勝己 (三井化学)
資料名： 硫酸と工業  (Sulphuric Acid and Industry)
巻： 62  号： 11  ページ： 163-169  発行年： 2009年11月15日 
JST資料番号： F0507A  ISSN： 0370-8047  CODEN： RYUSAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 硫黄ドープしたチタン酸化物薄膜の合成と評価に関し,レーザーアブレーションによる製膜手法において,PLD法と雰囲気制御型チャンバーを組合わせる事で,半ば自由に組成を制御した酸化物膜を作製できる事などを紹介し,下記事項について解説した。1)硫黄ドープチタン酸化物薄膜の作製と特性評価。2)窒素ドープチタニア薄膜の作製とその特性評価。3)Ni担持による光触媒活性の向上。4)各種光触媒活性の比較,a)チタニア薄膜のみ,b)Ni担持チタニア薄膜,c)Sドープチタニア薄膜,d)Ni担持ドープチタニア薄膜。

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  触媒設計 ,  *光触媒 ,  *酸化チタン ,  金属薄膜 ,  硫黄 ,  ドーピング ,  *化学合成 ,  化学組成 ,  プロセス制御 ,  薄膜成長 ,  *キャラクタリゼーション ,  レーザアブレーション ,  窒素 ,  ニッケル ,  担持触媒 ,  触媒活性 ,  *酸化膜 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *PLD法 ,  *酸化物膜 ,  *特性評価 ,  薄膜形成

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学反応  (CB08020F)

引用文献 (7件)：

• J. Cuya, N. Sato, K. Yamamoto, A. Muramatsu, K. Aoki, Y. Taga, Thermochim. Acta, 410, 27(2004).
• T. Nakamura, H. Takahashi, K. Yamamoto, N. Sato, A. Muramatsu, and E. Matsubara, YazawaInternational Symposium, Metallurgical andMaterials Processing: Principles and Technologies, Edited by F. Kongoli, K. Itagaki, C. Yamauchi, and H. Y. Sohn, 1241-1246, USA, TMS (TheMinerals, Metals & Materials Society)(2003)
• P. E. Dyer and J. Sidhu, J. Appl. Phys., 64, 4657(1988).
• D. B. Geohegan, Appl. Phys. Lett., 60, 2732(1992).
• M. Anpo and M. Che, Adv. Catal., 44, 119(1999).

タイトルに関連する用語 (6件)： PLD法 ,  硫黄 ,  ドープ ,  チタン ,  酸化物薄膜 ,  評価