文献

J-GLOBAL ID：200902214358988913   整理番号：09A0009044

PLD法により成膜したSrZr_0.95Y_0.05O₃薄膜のプロトン導電性

Proton Conductivity of SrZr_0.95Y_0.05O₃ thin films fabricated by PLD Process

著者 (7件)： 佐多教子 (東北大 大学院) ,  三浦明美 (東北大 大学院) ,  佐久間実緒 (東北大 大学院) ,  野原佑太 (東北大 大学院) ,  長尾祐樹 (東北大 大学院) ,  井口史匡 (東北大 大学院) ,  湯上浩雄 (東北大 大学院)
資料名： 固体イオニクス討論会講演要旨集  (Extended Abstracts. Symposium on Solid State Ionics in Japan)
巻： 34th  ページ： 97-98  発行年： 2008年12月03日 
JST資料番号： L1398A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 固体電解質 ,  蒸着膜 ,  *酸化ストロンチウム ,  *酸化ジルコニウム ,  ドーピング ,  *酸化イットリウム ,  セラミック膜 ,  プロトン伝導 ,  レーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  ペロブスカイト型結晶 ,  格子定数 ,  結晶構造 ,  電気伝導率 ,  パルスレーザ蒸着 ,  薄膜形成
準シソーラス用語： 成膜

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (5件)： PLD法 ,  成膜 ,  薄膜 ,  プロトン ,  導電性