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J-GLOBAL ID：200902214433508833   整理番号：08A0844708

ナノダイヤモンドの成長と電子特性と利用

Growth, electronic properties and applications of nanodiamond

著者 (12件)： WILLIAMS O.a. (Inst. for Materials Res., Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  WILLIAMS O.a. (Div. IMOMEC, IMEC vzw, Div. IMOMEC, Wetenshapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  NESLADEK M. (Inst. for Materials Res., Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  NESLADEK M. (Div. IMOMEC, IMEC vzw, Div. IMOMEC, Wetenshapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  NESLADEK M. (CEA-LIST (Recherche Technologique), CEA-Saclay, 91191 Gif sur Yvette, FRA) ,  DAENEN M. (Inst. for Materials Res., Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MICHAELSON S. (Schulich Fac. of Chemistry, Technion, Israeli Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  HOFFMAN A. (Schulich Fac. of Chemistry, Technion, Israeli Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  OSAWA E. (NanoCarbon Res. Inst., AREC, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ., 3-15-1 Tokita, Ueda, Nagano 386-8567, JPN) ,  HAENEN K. (Inst. for Materials Res., Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN K. (Div. IMOMEC, IMEC vzw, Div. IMOMEC, Wetenshapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  JACKMAN R.b. (London Centre for Nanotechnology, Univ. Coll. London, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, GBR)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 17  号： 7-10  ページ： 1080-1088  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノダイヤモンドあるいはナノ結晶ダイヤは多数の材料を記述するために使われる広い用語である。一般的には,ナノ結晶ダイヤ(NCD)はサイズが100nm以下のファセットからなるが,第2の用語の’超ナノ結晶ダイヤ’(UNCD)は粒径が10nm以下の材料を記述するために使われてきた。形態のこれらの違いは成長プロセスから始まっている。通常の水素リッチガス相は膜厚に比例する粒径と低いsp²含有量を持つファセット化したダイヤを生成する。これらの膜が薄ければ,粒子は100nm以下になり得て,すなわちNCDとなる。水素のプラズマを絞ることによって,sp²のエッチングの低下が核の再生成をもたらし得る。究極的には,これは3~5nmの非常に小さい粒径をもたらし,UNCDに至る。これらの2種の材料の電子的性質は非常に異なる。NCDは基本的に非常に薄い微結晶ダイヤであるので,ホウ素のドーピングができる。本質的に透明であり,吸収はホウ素のドープレベルの増大と共に増加する。NCDはその高いsp²含有量のために高度に吸収性であり,欠陥のために低下したバンドギャップを示す。ガス相に窒素を添加することにより,バンドギャップ内の状態密度は増大し,究極的には金属電導性が実現され得る。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  超微粒子 ,  ナノ結晶 ,  粒径 ,  分類 ,  気相成長 ,  核形成 ,  *化学蒸着 ,  ドーピング

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノダイヤモンド ,  成長 ,  電子