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J-GLOBAL ID：200902214657634869   整理番号：07A0874735

出力因子補正回路中のSi基板上AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの評価

Evaluation of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Si Substrate in Power Factor Correction Circuit

著者 (9件)： IWAKAMI Shinichi (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  MACHIDA Osamu (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  IZAWA Yoshimichi (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  BABA Ryohei (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  YANAGIHARA Masataka (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  EHARA Toshihiro (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KANEKO Nobuo (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  GOTO Hirokazu (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  IWABUCHI Akio (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 29-32  ページ： L721-L723  発行年： 2007年08月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に製造した高出力AlGaN/GaNヘテロ構造電界効...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： HFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 出力因子 ,  補正回路 ,  Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  評価