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J-GLOBAL ID：200902214703348930   整理番号：07A1229175

In_0.3Ga_0.7Asチャネル,5000cm²/V・s以上の移動度および475μS/μm以上の相互コンダクタンスを有するエンハンスメントモードGaAs MOSFET

Enhancement-Mode GaAs MOSFETs With an In_0.3Ga_0.7As Channel, a Mobility of Over 5000cm²/V s, and Transconductance of Over 475μS/μm

著者 (13件)： HILL Richard J.W. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  MORAN David A.J. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  LI Xu (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ZHOU Haiping (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  MACINTYRE Douglas (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  THOMS Sephen (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ASENOV Asen (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ZURCHER Peter (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  RAJAGOPALAN Karthik (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  ABROKWAH Jonathan (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  DROOPAD Ravi (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  PASSLACK Matthias (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  THAYNE Iain G. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 12  ページ： 1080-1082  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の技術ロードマップに従って,CMOSの微細化や,高K材...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル ,  移動度 ,  相互コンダクタンス ,  エンハンスメントモード ,  GaAs ,  MOSFET