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J-GLOBAL ID：200902214723316164   整理番号：04A0026690

オゾン処理したチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ

Ozone-treated channel diamond field-effect transistors

著者 (7件)： SAKAI T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SONG K-S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KANAZAWA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TACHIKI M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 12  号： 10/11  ページ： 1971-1975  発行年： 2003年10月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オゾン処理によりチャネルを部分的に酸化して電気抵抗を高くした...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： オゾン処理 ,  チャネル ,  ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ