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J-GLOBAL ID：200902214746928213   整理番号：08A0329104

高度に不整合なSn_xGe_1-x半導性合金におけるバンド反交差

Band anticrossing in highly mismatched Sn_xGe_1-x semiconducting alloys

著者 (9件)： ALBERI K. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ALBERI K. (Univ. California, California, USA) ,  BLACKSBERG J. (California Inst. Technol., California, USA) ,  BELL L. D. (California Inst. Technol., California, USA) ,  NIKZAD S. (California Inst. Technol., California, USA) ,  YU K. M. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  DUBON O. D. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  DUBON O. D. (Univ. California, California, USA) ,  WALUKIEWICZ W. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 7  ページ： 073202.1-073202.4  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn_xGe_1-xの直接型バンドギャップとスピン-軌道分裂エネルギーの組成依存性がSnの希薄濃度(x<10%)で価電子バンド反交差模型により記述できることを示した。Geホストマトリックスの広がった状態とSn少数原子の局在したp型状態が混成して,価電子バンドがE₊,E_-サブバンドへ再構成する。価電子バンド端がx=0.01で約22meV上向きにシフトするため,バンドギャップが大きく減少する。III-V,II-VI化合物半導体と同じように,IV族元素も高度に不整合な合金を形成し,バンド反交差から特異な性質が生じることを示した。

シソーラス用語： *スズ含有合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  固溶体 ,  ゲルマニウム ,  スズ ,  濃度依存性 ,  *バンドギャップ ,  *スピン-軌道相互作用 ,  価電子バンド ,  交差回避 ,  配位混合 ,  不整合 ,  フォトリフレクタンス ,  赤外スペクトル

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不整合 ,  半導性 ,  合金 ,  バンド ,  交差