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J-GLOBAL ID：200902214797056938   整理番号：09A0615584

2層グラフェンにおける広範囲に調節可能なバンドギャップの直接観測

Direct observation of a widely tunable bandgap in bilayer graphene

著者 (14件)： ZHANG Yuanbo (Univ. California at Berkeley) ,  TANG Tsung-Ta (Univ. California at Berkeley) ,  GIRIT Caglar (Univ. California at Berkeley) ,  HAO Zhao (Lawrence Berkeley National Lab.) ,  HAO Zhao (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  MARTIN Michael C. (Lawrence Berkeley National Lab.) ,  ZETTL Alex (Univ. California at Berkeley) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab.) ,  CROMMIE Michael F. (Univ. California at Berkeley) ,  CROMMIE Michael F. (Lawrence Berkeley National Lab.) ,  SHEN Y. Ron (Univ. California at Berkeley) ,  SHEN Y. Ron (Lawrence Berkeley National Lab.) ,  WANG Feng (Univ. California at Berkeley) ,  WANG Feng (Lawrence Berkeley National Lab.)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 459  号： 7248  ページ： 820-823  発行年： 2009年06月11日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子バンドギャップは,半導体と絶縁体に固有の特性であり,それらの輸送特性や光学特性は主にこれによって決まる。したがって,電子バンドギャップは,現代のデバイス物理やデバイス技術において中心的役割を果たしており,p-n接合,トランジスター,フォトダイオード,レーザーなどの半導体デバイスの動作を支配している。調節可能なバンドギャップ,特に可変外部電場をかけることによって調節可能なものは,そのようなデバイスの設計,最適化が極めて柔軟に行えるので非常に望ましい。しかし,従来の材料では,バンドギャップは結晶構造によって決まるため,そのようなバンドギャップ制御はできない。今回我々は,電気的ゲートを有する2層グラフェンで広範囲にわたって調節可能な電子バンドギャップを実現したことを示す。デュアルゲート2層グラフェン電界効果トランジスター(FET)と赤外顕微分光法を用いて,ゲート制御され最高250meVまで連続的に調節可能なバンドギャップが実証された。我々の手法では,制御されない化学ドーピングを行っておらず,以前の試みでは成功しなかった,ゼロから中赤外までのスペクトル範囲にわたる広範囲に調節可能なバンドギャップの直接証拠が得られた。このような系の優れた電気輸送特性を合わせて考えると,今回の静電バンドギャップ制御は,グラフェンを利用した新しいナノエレクトロニクス・デバイスやナノフォトニクス・デバイスに応用できると考えられる。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： *グラファイト ,  *バンドギャップ ,  電場効果 ,  *多層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *可変性 ,  電気伝導 ,  赤外分光法 ,  半導体薄膜 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *二層 ,  赤外顕微分光法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2層グラフェン ,  調節 ,  バンドギャップ ,  観測