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J-GLOBAL ID：200902214861739386   整理番号：08A0605086

出力バランシング,ノイズキャンセルと歪キャンセルを同時に達成する帯域バルン-LNA

Wideband Balun-LNA With Simultaneous Output Balancing, Noise-Canceling and Distortion-Canceling

著者 (4件)： BLAAKMEER Stephan C. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  KLUMPERINK Eric A.M. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  LEENAERTS Domine M.W. (NXP Semiconductors, Eindhoven, NLD) ,  NATUTA Bram (Univ. Twente, Enschede, NLD)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 43  号： 6  ページ： 1341-1350  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルン-LNAの操作でのコモンゲート(CG)とコモンソース(CS)段階の並行処理の性能に関し,出力バランシング,ノイズキャンセル,歪キャンセルを同時に達成した。本論文では,回路トポロジーの設計オプション,ノイズ特性,歪特性を分析し,サブミクロンCMOSの特性のクロスタームを考察した。実際にバルン-LNA回路設計をして,計測結果を既存設計のベンチマークと比較した結果,CG段階に対するCS段階でのアドミタンススケーリングとCS段階での最適化を行うと,バルン-LNAではインダクタなしで良い負荷信号を出力し,1.2Vのベースライン65nmのCMOSプロセスで,低ノイズでの帯域増幅を線形的に達成できた。

シソーラス用語： *バルン ,  *低雑音増幅器 ,  インピーダンス ,  *雑音 ,  半導体プロセス ,  位相幾何学 ,  相互コンダクタンス ,  線形性
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  LNA ,  アドミタンス ,  トランスコンダクタンス ,  *ノイズ ,  回路トポロジー

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： ノイズキャンセル ,  歪 ,  キャンセル ,  帯域 ,  バルン ,  LNA