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J-GLOBAL ID：200902214946791433   整理番号：05A0012129

誘導結合型フルオロカーポンプラズマを用いた高誘電率HfO₂薄膜のエッチング

著者 (3件)： 高橋和生 (京大 大学院工学研究科) ,  斧高一 (京大 大学院工学研究科) ,  節原裕一 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 55  号： 12  ページ： 793-799  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ULSIのさらなる微細化を実現する際に重要となる高比誘電率ゲ...

シソーラス用語： 誘導結合プラズマ ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： テトラフルオロメタン ,  オクタフルオロシクロブタン

引用文献 (23件)：

• 1) 廣瀬全孝;応用物理, 71, 1091 (2002)
• 2) 鳥海 明;電子情報通信学会論文誌C, J84-C, 76 (2001)
• 3) 鳥海 明, 堀川 剛, 生田目俊秀;NIKKEI MICRODEVICES, 12, 164 (2002)
• 4) 斧 高一;2004半導体テクノロジー大全, p. 331 (電子ジャーナル社, 2004)
• 5) D. R. Lide ; CRC Handbook of Chemistry and Physics, 79th ed., CRC Press, Boca Raton, FL (1998)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘導結合 ,  高誘電率 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  エッチング