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J-GLOBAL ID：200902215092042640   整理番号：08A0866292

TiO₂上のSnO₂のプラズマ支援分子ビームエピタクシー

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO₂ on TiO₂

著者 (3件)： TSAI M.y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  WHITE M.e. (Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  SPECK J.s. (Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 310  号： 18  ページ： 4256-4261  発行年： 2008年08月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質単結晶成長のための可能性を調査するために様々な成長条件下で,プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるTiO₂(110)基板におけるSnO₂のエピタキシ成長を研究した。0.612°と等しい最適な軸上X線ロッキング曲線スキャン半値幅を持つ相純粋な(110)方位SnO₂薄膜を成長させた。薄膜エピタクシーはボルマー・ウェーバ(Volmer-Weber)成長モードで進行した。固定酸素圧力でのスズ流の増加と関連した長率変化を測定することによって異なった成長領域を特定した。酸素リッチ成長領域で開始した場合,スズ流が増加するのに従って,成長率は線形的に増加した。原子レベルで平坦な表面が酸素リッチ領域で観測された。継続的なスズ流増加は470nm/hの最大成長率をもたらした。更なるスズ流増加は,成長表面でのSnO₂生成を妨げ,金属リッチな成長領域を特定するTiO₂基板上のSnO₂核発生バリアとして機能した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化スズ ,  単結晶 ,  基板 ,  酸化チタン ,  *結晶方位 ,  薄膜成長 ,  *表面粗さ
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  *Volmer-Weber成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiO2 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー