シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成

近藤博基; 財満鎭明; 堀勝; 酒井朗; 小川正毅

文献

J-GLOBAL ID：200902215222102497 整理番号：07A1205510

シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成

Initial Stage of Processes and Energy Bandgap Formation in Nitridation of Silicon Surface Using Nitrogen Radicals

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巻： 50 号： 11 ページ： 665-671 発行年： 2007年11月20日
JST資料番号： G0194A ISSN： 0559-8516 CODEN： SHINA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

超LSI開発においてはMOSFETのゲート絶縁膜として,Si...

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その他の無機化合物の薄膜 , プラズマ診断

引用文献 (23件)：

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